未命名 (1) (8) (1)
puerta
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Estás aquí: Hogar » Productos » » Mosfet » 12V-300V N MOS » 20A 100V N-canal Modo de mejora de la potencia MOSFET DHS400N10D TO-252B

cargando

Compartir a:
botón de intercambio de Facebook
botón de intercambio de Twitter
botón de intercambio de línea
botón de intercambio de WeChat
botón de intercambio de LinkedIn
botón de intercambio de Pinterest
Botón de intercambio de whatsapp
botón compartido de compartir Sharethis

Modo de mejora del canal de 20a de 100 V.

Modo de mejora del canal de 20a de 100V de 100V Power MOSFET
Disponibilidad:
Cantidad:
Preguntar Agregar a la canasta

20a 100V MODO MODANCO DE MEDIA DE MEDIA DEL CANAL


1 descripción


Estos Mosfets de potencia de potencia de modo de mejora del canal N utilizaron un diseño de tecnología de trinchera avanzada, proporcionó una excelente carga de RDSON y baja puerta. Que concuerda con el estándar ROHS. 


2 características 

● Bajo en resistencia

● carga de puerta baja 

● Cambio rápido 

● Capacitancias de transferencia inversa bajas 

● Prueba de energía de avalancha de pulso 100% 100%

● Prueba de 100% ΔVDS 


3 aplicaciones 

● Aplicaciones de conmutación de encendido 

● Sistema de gestión de inversores 

● Herramientas eléctricas 

● Electrónica automotriz


VDSS RDS (ON) (typ) IDENTIFICACIÓN Paquete
100V 45mΩ 20A A 252b


Anterior: 
Próximo: 
20a 100V MODO MODANCO DE MEDIA DE MEDIA DEL CANAL
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Regístrese para nuestro boletín
  • Prepárese para el futuro
    Regístrese para nuestro boletín para obtener actualizaciones directamente a su bandeja de entrada
    Entregar
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by Leadong.com