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D12N06
Wxdh
D12N06
A 252b
60V
12A
12a 60V N-canal Modo de mejora MOSFET
1 descripción
D12N06 es un transistor de efecto de campo de potencia de modo de mejora del canal N. Utilizando un diseño de tecnología de trinchera avanzada, que proporciona una excelente carga de Rdson y baja puerta. El producto se puede utilizar en una amplia variedad de aplicaciones. El formulario de paquete es a 252. Que concuerda con el estándar ROHS.
2 características
● Bajo en resistencia
● carga de puerta baja
● Cambio rápido
● Capacitancias de transferencia inversa bajas
● Prueba de energía de avalancha de pulso 100% 100%
● Prueba de 100% ΔVDS
3 Aplicaciones:
● Aplicación de conmutación de encendido
● Circuitos de alta frecuencia conmutados y de alta frecuencia
● Fuente de alimentación ininterrumpida
Vces | RDS (ON) (typ) | IDENTIFICACIÓN |
60V | 56mΩ | 12A |
12a 60V N-canal Modo de mejora MOSFET
1 descripción
D12N06 es un transistor de efecto de campo de potencia de modo de mejora del canal N. Utilizando un diseño de tecnología de trinchera avanzada, que proporciona una excelente carga de Rdson y baja puerta. El producto se puede utilizar en una amplia variedad de aplicaciones. El formulario de paquete es a 252. Que concuerda con el estándar ROHS.
2 características
● Bajo en resistencia
● carga de puerta baja
● Cambio rápido
● Capacitancias de transferencia inversa bajas
● Prueba de energía de avalancha de pulso 100% 100%
● Prueba de 100% ΔVDS
3 Aplicaciones:
● Aplicación de conmutación de encendido
● Circuitos de alta frecuencia conmutados y de alta frecuencia
● Fuente de alimentación ininterrumpida
Vces | RDS (ON) (typ) | IDENTIFICACIÓN |
60V | 56mΩ | 12A |