Kullanılabilirliği: | |
---|---|
Miktar: | |
D12N06
WXDH
D12N06
TO-252B
60V
12a
12A 60V N Kanal Geliştirme Modu Power Mosfet
1 Açıklama
D12N06, bir n kanal geliştirme modu güç alan etkili transistördür. Gelişmiş hendek teknolojisi tasarımı kullanarak, mükemmel RDSON ve düşük kapı şarjı sağlar. Ürün çok çeşitli uygulamalarda kullanılabilir. Paket formu 252 TO'dur. ROHS standardı ile uyumludur.
2 Özellik
● Direnç düşük
● Düşük kapı şarjı
● Hızlı anahtarlama
● Düşük ters transfer kapasitansları
●% 100 tek nabız çığ enerji testi
●% 100 ΔVDS testi
3 Uygulama:
● Güç değiştirme uygulaması
● Sert anahtarlı ve yüksek frekanslı devreler
● Kesintisiz güç kaynağı
VCS | RDS (ON) (tip) | İD |
60V | 56mΩ | 12a |
12A 60V N Kanal Geliştirme Modu Power Mosfet
1 Açıklama
D12N06, bir n kanal geliştirme modu güç alan etkili transistördür. Gelişmiş hendek teknolojisi tasarımı kullanarak, mükemmel RDSON ve düşük kapı şarjı sağlar. Ürün çok çeşitli uygulamalarda kullanılabilir. Paket formu 252 TO'dur. ROHS standardı ile uyumludur.
2 Özellik
● Direnç düşük
● Düşük kapı şarjı
● Hızlı anahtarlama
● Düşük ters transfer kapasitansları
●% 100 tek nabız çığ enerji testi
●% 100 ΔVDS testi
3 Uygulama:
● Güç değiştirme uygulaması
● Sert anahtarlı ve yüksek frekanslı devreler
● Kesintisiz güç kaynağı
VCS | RDS (ON) (tip) | İD |
60V | 56mΩ | 12a |