未命名 (1) (8) (1)
värav
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olete siin: Kodu » Tooted » MOSFET » 12V-300V N MOS » 12A 60V N-kanali täiustusrežiim Toide MOSFET D12N06 TO-252

laadimine

Jaga:
Facebooki jagamisnupp
twitteris jagamise nupp
rea jagamise nupp
wechati jagamisnupp
linkedini jagamisnupp
pinteresti jagamisnupp
whatsapi jagamisnupp
jaga seda jagamisnuppu

12A 60V N-kanali laiendusrežiimi toide MOSFET D12N06 TO-252

12A 60V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET
Saadavus:
Kogus:
Küsi järele Lisa ostukorvi

12A 60V N-kanaliga laiendusrežiimi võimsus MOSFET


1 Kirjeldus 

D12N06 on N-kanali täiustusrežiimi võimsuse väljatransistor. Kasutades täiustatud kaevikutehnoloogiat, pakkudes suurepärast Rdsoni ja madalat väravalaengut. Toodet saab kasutada mitmesugustes rakendustes. Pakendi vorm on TO-252. Mis vastab RoHS standardile. 


2 Omadused 

● Madal takistus 

● Värava madal laeng 

● Kiire ümberlülitamine 

● Madal pöördülekande mahtuvus 

● 100% ühe impulsi laviini energia test 

● 100% ΔVDS test


3 rakendust: 

● Toitelülitusrakendus 

● Kõvalülitusega ja kõrgsageduslikud ahelad

● Katkematu toiteallikas


Vces RDS (sees) (TYP) ID
60V 56 mΩ 12A


Eelmine: 
Järgmine: 
12A 60V N-kanaliga laiendusrežiimi võimsus MOSFET
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Liituge meie uudiskirjaga
  • valmistuge tulevikuks
    registreeruge meie uudiskirja saamiseks, et saada värskendused otse oma postkasti
    Esita
Autoriõigus © 2023​​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd tehnoloogia autor leadong.com