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D12N06
Wxdh
D12N06
To-252B
60V
12a
12A 60V N-Canale Modalità di miglioramento Mosfet di potenza
1 Descrizione
D12N06 è un transistor ad effetto campo di potenziamento in modalità di potenziamento del canale N. Utilizzando la progettazione avanzata della tecnologia della trincea, fornendo eccellenti RDON e bassa carica di gate. Il prodotto può essere utilizzato in un'ampia varietà di applicazioni. Il modulo del pacchetto è TO-252. Che accorda con lo standard ROHS.
2 caratteristiche
● Resistenza bassa
● Carica a basso gate
● commutazione rapida
● Capacità di trasferimento inverse basse
● Test di energia a valanga a impulsi singolo 100%
● Test al 100% ΔVDS
3 applicazioni:
● Applicazione di commutazione di alimentazione
● Circuiti a commutazione dura e ad alta frequenza
● Alimentazione non interruzione
VCE | RDS (ON) (tip) | ID |
60V | 56MΩ | 12a |
12A 60V N-Canale Modalità di miglioramento Mosfet di potenza
1 Descrizione
D12N06 è un transistor ad effetto campo di potenziamento in modalità di potenziamento del canale N. Utilizzando la progettazione avanzata della tecnologia della trincea, fornendo eccellenti RDON e bassa carica di gate. Il prodotto può essere utilizzato in un'ampia varietà di applicazioni. Il modulo del pacchetto è TO-252. Che accorda con lo standard ROHS.
2 caratteristiche
● Resistenza bassa
● Carica a basso gate
● commutazione rapida
● Capacità di trasferimento inverse basse
● Test di energia a valanga a impulsi singolo 100%
● Test al 100% ΔVDS
3 applicazioni:
● Applicazione di commutazione di alimentazione
● Circuiti a commutazione dura e ad alta frequenza
● Alimentazione non interruzione
VCE | RDS (ON) (tip) | ID |
60V | 56MΩ | 12a |