MOSFET de puissance en mode d'amélioration canal N 12 A 60 V
1 Descriptif
D12N06 est un transistor à effet de champ de puissance en mode amélioration de canal N. Utilisant une conception de technologie de tranchée avancée, offrant un excellent Rdson et une faible charge de grille. Le produit peut être utilisé dans une grande variété d'applications. Le format d'emballage est TO-252. Ce qui est conforme à la norme RoHS.
2 Caractéristiques
● Faible résistance
● Faible charge de porte
● Commutation rapide
● Faibles capacités de transfert inverse
● Test d'énergie d'avalanche à impulsion unique à 100 %
● Test 100 % ΔVDS
3 candidatures :
● Application de commutation de puissance
● Circuits à commutation dure et haute fréquence
● Alimentation sans interruption
| Vces |
RDS (activé) (TYP) |
IDENTIFIANT |
| 60V |
56 mΩ |
12A |