Availability: | |
---|---|
Dami: | |
D12N06
Wxdh
D12N06
TO-252B
60V
12a
12A 60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
1 Paglalarawan
Ang D12N06 ay isang N-Channel Enhancement Mode Power Field-Effect Transistor. Gamit ang advanced na disenyo ng teknolohiya ng trench, na nagbibigay ng mahusay na rdson at mababang singil ng gate.Ang produkto ay maaaring magamit sa isang iba't ibang mga application.Ang form ng package ay TO-252. Na naaayon sa pamantayan ng ROHS.
2 Mga Tampok
● Mababa sa paglaban
● Mababang singil ng gate
● Mabilis na paglipat
● Mababang reverse transfer capacitances
● 100% Single Pulse Avalanche Energy Test
● 100% ΔVDS test
3 Mga Aplikasyon:
● Application ng Paglipat ng Power
● Hard switch at mataas na dalas ng mga circuit
● Hindi mapigilan na supply ng kuryente
Vces | Rds (on) (typ) | ID |
60V | 56MΩ | 12a |
12A 60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
1 Paglalarawan
Ang D12N06 ay isang N-Channel Enhancement Mode Power Field-Effect Transistor. Gamit ang advanced na disenyo ng teknolohiya ng trench, na nagbibigay ng mahusay na rdson at mababang singil ng gate.Ang produkto ay maaaring magamit sa isang iba't ibang mga application.Ang form ng package ay TO-252. Na naaayon sa pamantayan ng ROHS.
2 Mga Tampok
● Mababa sa paglaban
● Mababang singil ng gate
● Mabilis na paglipat
● Mababang reverse transfer capacitances
● 100% Single Pulse Avalanche Energy Test
● 100% ΔVDS test
3 Mga Aplikasyon:
● Application ng Paglipat ng Power
● Hard switch at mataas na dalas ng mga circuit
● Hindi mapigilan na supply ng kuryente
Vces | Rds (on) (typ) | ID |
60V | 56MΩ | 12a |