N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 110A 100V DHS052N10F TO-220F

N-kanavainen parannustilan teho MOSFET 110A 100V

1 Kuvaus

Nämä N-kanavan tehostustilan tehomosfetit käyttivät edistynyttä splitte gate -kaivannon tekniikkaa, tarjoten erinomaisen Rdson-latauksen ja alhaisen porttilatauksen. Joka on RoHS-standardin mukainen. 

2 Ominaisuudet

● Nopea vaihto 

● Alhainen vastus 

● Matala portin lataus 

● Suuri lumivyöryvirta 

● Alhaiset paluusiirtokapasitanssit 

● 100 % yhden pulssin lumivyöryenergiatesti 

● 100 % ΔVDS-testi 

3 Sovellukset 

● Synkroninen tasasuuntaus SMPS:ssä 

● Kova kytkentä ja suurnopeuspiiri

● Sähkötyökalut 

● UPS 

● Moottorin ohjaus

VDSS	RDS(päällä)(TYP)	ID
100V	5,1 mΩ	110A