N-kanal Enhancement Mode Power MOSFET 110A 100V DHS052N10F TO-220F

N-kanal Enhancement Mode Power MOSFET 110A 100V

1 Beskrivelse

Disse N-kanal-forbedringstilstande power-mosfets brugte avanceret split-gate trench-teknologi design, gav fremragende Rdson og lav gate-opladning. Hvilket er i overensstemmelse med RoHS-standarden. 

2 funktioner

● Hurtigt skifte 

● Lav modstand 

● Lav portladning 

● Høj lavinestrøm 

● Lave omvendte overførselskapacitanser 

● 100 % enkeltpuls lavineenergitest 

● 100 % ΔVDS-test 

3 Ansøgninger 

● Synkron ensretning i SMPS 

● Hard switching og højhastighedskredsløb

● Elværktøj 

● UPS 

● Motorstyring

VDSS	RDS(on)(TYP)	ID
100V	5,1 mΩ	110A