πύλη
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Είστε εδώ: Σπίτι » Προϊόντα » MOSFET » 12V-300V N MOS » Λειτουργία βελτίωσης καναλιών N Power MOSFET 110A 100V DHS052N10F TO-220F

φόρτωση

Κοινοποίηση σε:
κουμπί κοινής χρήσης facebook
κουμπί κοινής χρήσης twitter
κουμπί κοινής χρήσης γραμμής
κουμπί κοινής χρήσης wechat
κουμπί κοινής χρήσης linkedin
κουμπί κοινής χρήσης pinterest
κουμπί κοινής χρήσης whatsapp
κοινοποιήστε αυτό το κουμπί κοινής χρήσης

Λειτουργία βελτίωσης N καναλιών Power MOSFET 110A 100V DHS052N10F TO-220F

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 110A 100V
Διαθεσιμότητα:
Ποσότητα:

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 110A 100V


1 Περιγραφή


Αυτά τα power mosfet λειτουργίας βελτίωσης N καναλιών χρησιμοποιούσαν προηγμένη σχεδίαση τεχνολογίας splite gate trench, παρέχοντας εξαιρετικό Rdson και χαμηλή φόρτιση πύλης. Το οποίο συμφωνεί με το πρότυπο RoHS. 


2 Χαρακτηριστικά

● Γρήγορη εναλλαγή 

● Χαμηλή αντίσταση 

● Χαμηλή χρέωση πύλης 

● Υψηλό ρεύμα χιονοστιβάδας 

● Χαμηλές χωρητικότητες ανάστροφης μεταφοράς 

● Δοκιμή ενέργειας χιονοστιβάδας 100% ενός παλμού 

● Δοκιμή ΔVDS 100%. 


3 Εφαρμογές 

● Σύγχρονη διόρθωση σε SMPS 

● Κύκλωμα σκληρής μεταγωγής και υψηλής ταχύτητας

● Ηλεκτρικά εργαλεία 

● UPS 

● Έλεγχος κινητήρα


VDSS RDS(ενεργό)(TYP) ταυτότητα
100V 5,1 mΩ 110Α


Προηγούμενος: 
Επόμενος: 
  • Εγγραφείτε για το ενημερωτικό μας δελτίο
  • ετοιμαστείτε για το μέλλον
    εγγραφείτε στο ενημερωτικό μας δελτίο για να λαμβάνετε ενημερώσεις κατευθείαν στα εισερχόμενά σας