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DH012N03U
Wxdh
PEDÁGIO
30V
235a
235A 30V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET
1 Descrição
Esses MOSFETs de energia de aprimoramento de canal N usavam o design avançado da tecnologia de valas de portão de divisão, forneceram excelente rdson e baixa carga do portão. Que de acordo com o padrão ROHS.
2 recursos
● baixa resistência
● Baixa carga do portão
● Comutação rápida
● Capacitâncias de transferência reversa baixa
● Teste de energia de avalanche de pulso 100% único
● Teste 100% ΔVDS
3 aplicações
● Aplicativo de comutação de energia
● Gerenciamento de energia para sistema de inversor
● Gerenciamento da bateria
VDSS | Rds (on) (Typ) | EU IA |
30V | 1.15mΩ | 235a |
235A 30V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET
1 Descrição
Esses MOSFETs de energia de aprimoramento de canal N usavam o design avançado da tecnologia de valas de portão de divisão, forneceram excelente rdson e baixa carga do portão. Que de acordo com o padrão ROHS.
2 recursos
● baixa resistência
● Baixa carga do portão
● Comutação rápida
● Capacitâncias de transferência reversa baixa
● Teste de energia de avalanche de pulso 100% único
● Teste 100% ΔVDS
3 aplicações
● Aplicativo de comutação de energia
● Gerenciamento de energia para sistema de inversor
● Gerenciamento da bateria
VDSS | Rds (on) (Typ) | EU IA |
30V | 1.15mΩ | 235a |