235A 30V โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ N-channel Power MOSFET DH012N03U แพคเกจโทร

235A 30V N-channel โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ MOSFET พลังงาน

1 คำอธิบาย 

มอสเฟตกำลังโหมดการเพิ่มประสิทธิภาพโหมด N-channel เหล่านี้ใช้เทคโนโลยีการออกแบบร่องลึกแยกเกตขั้นสูง ซึ่งให้ค่า Rdson และเกตต่ำที่ยอดเยี่ยม ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน RoHS 

2 คุณสมบัติ

● ความต้านทานต่ำ 

● ค่าเกตต่ำ 

● การสลับอย่างรวดเร็ว 

● ความจุการถ่ายโอนแบบย้อนกลับต่ำ 

● การทดสอบพลังงานหิมะถล่มพัลส์เดี่ยว 100% 

● การทดสอบ ΔVDS 100% 

3 การใช้งาน

● แอปพลิเคชั่นเปลี่ยนพลังงาน

● การจัดการพลังงานสำหรับระบบอินเวอร์เตอร์

● การจัดการแบตเตอรี่

วีดีเอสเอส	RDS (บน) (ประเภท)	บัตรประจำตัวประชาชน
30V	1.15mΩ	235เอ