未命名 (1) (8) (1)
ประตู
บริษัท JIANGSU DONGHAI SEMICODUCTOR CO. , LTD
คุณอยู่ที่นี่: บ้าน » สินค้า » Mosfet » 12v-300v n mos » 235a 30v n-channel โหมดการปรับปรุงพลังงาน mosfet dh012n03u แพ็คเกจโทร

การโหลด

แบ่งปันไปที่:
ปุ่มแบ่งปัน Facebook
ปุ่มแบ่งปัน Twitter
ปุ่มแชร์สาย
ปุ่มแชร์ WeChat
ปุ่มแบ่งปัน LinkedIn
ปุ่มแชร์ Pinterest
ปุ่มแบ่งปัน whatsapp
ปุ่มแชร์แชร์

235A 30V N-Channel Mode Power MOSFET DH012N03U แพ็คเกจโทร

โหมดการปรับปรุง N-Channel Mosfets เหล่านี้ใช้การออกแบบเทคโนโลยีร่องน้ำเกต Splite ขั้นสูงให้ RDSON ที่ยอดเยี่ยมและชาร์จประตูต่ำ ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน ROHS
ความพร้อม:
ปริมาณ:
สอบถาม เพิ่มลงในตะกร้า

235A 30V N-Channel Enhance Mode Power MOSFET


1 คำอธิบาย 

โหมดการปรับปรุง N-Channel Mosfets เหล่านี้ใช้การออกแบบเทคโนโลยีร่องน้ำเกต Splite ขั้นสูงให้ RDSON ที่ยอดเยี่ยมและชาร์จประตูต่ำ ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน ROHS 


2 คุณสมบัติ

●ความต้านทานต่ำ 

●ประจุประตูต่ำ 

●การสลับอย่างรวดเร็ว 

●ความสามารถในการถ่ายโอนแบบย้อนกลับต่ำ 

●การทดสอบพลังงานพัลส์อะเวียนเดี่ยว 100% 

●การทดสอบ 100% ΔVDS 


3 แอปพลิเคชัน

●แอปพลิเคชันการสลับพลังงาน

●การจัดการพลังงานสำหรับระบบอินเวอร์เตอร์

●การจัดการแบตเตอรี่



VDSS RDS (ON) (TYP) รหัสประจำตัว
30V 1.15mΩ 235a


ก่อนหน้า: 
ต่อไป: 
Mosfet
  • บริษัท JIANGSU DONGHAI SEMICODUCTOR CO. , LTD
  • ลงทะเบียนเพื่อรับจดหมายข่าวของเรา
  • เตรียมพร้อมสำหรับ
    การลงทะเบียนในอนาคตเพื่อรับจดหมายข่าวของเราเพื่อรับการอัปเดตโดยตรงไปยังกล่องจดหมายของคุณ
    ส่ง
ลิขสิทธิ์© 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co. , Ltd Technology โดย leadong.com