Kullanılabilirlik: | |
---|---|
Miktar: | |
DH012N03U
WXDH
GEÇİŞ ÜCRETİ
30V
235a
235A 30V N Kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET
1 Açıklama
Bu n-kanal geliştirme modu güç mosfets, mükemmel RDSON ve düşük kapı şarjı sağladı, gelişmiş splite geçit hendek teknolojisi tasarımı kullandı. ROHS standardı ile uyumludur.
2 Özellik
● Direnç düşük
● Düşük kapı şarjı
● Hızlı anahtarlama
● Düşük ters transfer kapasitansları
●% 100 tek nabız çığ enerji testi
●% 100 ΔVDS testi
3 Uygulama
● Güç değiştirme uygulaması
● İnvertör sistemi için güç yönetimi
● Pil yönetimi
VDSS | RDS (ON) (tip) | İD |
30V | 1.15mΩ | 235a |
235A 30V N Kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET
1 Açıklama
Bu n-kanal geliştirme modu güç mosfets, mükemmel RDSON ve düşük kapı şarjı sağladı, gelişmiş splite geçit hendek teknolojisi tasarımı kullandı. ROHS standardı ile uyumludur.
2 Özellik
● Direnç düşük
● Düşük kapı şarjı
● Hızlı anahtarlama
● Düşük ters transfer kapasitansları
●% 100 tek nabız çığ enerji testi
●% 100 ΔVDS testi
3 Uygulama
● Güç değiştirme uygulaması
● İnvertör sistemi için güç yönetimi
● Pil yönetimi
VDSS | RDS (ON) (tip) | İD |
30V | 1.15mΩ | 235a |