Paquete de PEAJE MOSFET DH012N03U de potencia de modo de mejora de canal N de 235A y 30 V

MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 235 A y 30 V

1 Descripción 

Estos mosfets de potencia en modo de mejora de canal N utilizaron un diseño avanzado de tecnología de zanja de puerta dividida, proporcionaron un Rdson excelente y una carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 

2 características

● Baja resistencia 

● Cargo de puerta bajo 

● Cambio rápido 

● Bajas capacitancias de transferencia inversa. 

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100% 

● Prueba 100% ΔVDS 

3 aplicaciones

● Aplicación de conmutación de energía

● Gestión de energía para el sistema inversor.

● Gestión de la batería

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
30V	1,15 mΩ	235A