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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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235A 30V Modo de mejora del canal MOSFET MOSFET DH012N03U PAGA DE PELL

Estos Mosfets de potencia de potencia de modo de mejora del canal N utilizaron un diseño de tecnología de trinchera de compuerta de espíritu avanzada, proporcionó una excelente carga de Rdson y baja puerta. Que concuerda con el estándar ROHS.
Disponibilidad:
Cantidad:

235A 30V MODANCE DE MODANCIA DE CANAL


1 descripción 

Estos Mosfets de potencia de potencia de modo de mejora del canal N utilizaron un diseño de tecnología de trinchera de compuerta de espíritu avanzada, proporcionó una excelente carga de Rdson y baja puerta. Que concuerda con el estándar ROHS. 


2 características

● Bajo en resistencia 

● carga de puerta baja 

● Cambio rápido 

● Capacitancias de transferencia inversa bajas 

● Prueba de energía de avalancha de pulso 100% 100% 

● Prueba de 100% ΔVDS 


3 aplicaciones

● Aplicación de conmutación de encendido

● Gestión de energía para el sistema de inversores

● Gestión de la batería



VDSS RDS (ON) (typ) IDENTIFICACIÓN
30V 1.15mΩ 235a


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