235A 30V N-canal Mod de îmbunătățire MOSFET de putere
1 Descriere
Aceste mosfet-uri de putere cu modul de îmbunătățire N-canal au folosit un design avansat de tehnologie de șanțuri splite gate, oferind un Rdson excelent și o încărcare scăzută a porții. Ceea ce este în conformitate cu standardul RoHS.
2 Caracteristici
● Rezistență scăzută
● Încărcare scăzută
● Comutare rapidă
● Capacitate reduse de transfer invers
● Test de energie de avalanșă cu un singur impuls 100%.
● Test 100% ΔVDS
3 Aplicații
● Aplicație de comutare a puterii
● Managementul puterii pentru sistemul invertor
● Gestionarea bateriei
| VDSS |
RDS(activat)(TYP) |
ID |
| 30V |
1,15 mΩ |
235A |