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235A 30V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET DH012N03U Toll-Paket

Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Splite-Gate-Graben-Technologie-Design und bildeten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard.
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235A 30V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET


1 Beschreibung 

Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Splite-Gate-Graben-Technologie-Design und bildeten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard. 


2 Merkmale

● Niedrig des Widerstands 

● Ladung mit niedriger Gate 

● schnelles Umschalten 

● Niedrige Umkehrtransferkapazität 

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 

● 100% ΔVDS -Test 


3 Anwendungen

● Stromschaltanwendung

● Stromverwaltung für Wechselrichtersysteme

● Batteriemanagement



VDSS RDS (ON) (Typ) AUSWEIS
30V 1,15 mΩ 235a


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