Доступность: | |
---|---|
количество: | |
DH012N03U
WXDH
ПОТЕРИ
30 В
235а
235A 30 В n-канальный режим улучшения мощности MOSFET
1 Описание
В этом N-канальном режиме режима режима мощности использовались современные технологии технологии Trench Trench Splite, обеспечивающие отличный RDSON и низкий заряд. Который согласуется со стандартом ROHS.
2 функции
● Низкое сопротивление
● Зарядки с низким затвором
● Быстрое переключение
● Низкие емкости обратного переноса
● 100% тест на электроэнергию с одним импульсной лавиной
● Тест 100% ΔVDS
3 приложения
● Приложение переключения питания
● Управление питанием для системы инверторов
● Управление аккумуляторами
VDSS | RDS (ON) (тип) | ИДЕНТИФИКАТОР |
30 В | 1,15 МОм | 235а |
235A 30 В n-канальный режим улучшения мощности MOSFET
1 Описание
В этом N-канальном режиме режима режима мощности использовались современные технологии технологии Trench Trench Splite, обеспечивающие отличный RDSON и низкий заряд. Который согласуется со стандартом ROHS.
2 функции
● Низкое сопротивление
● Зарядки с низким затвором
● Быстрое переключение
● Низкие емкости обратного переноса
● 100% тест на электроэнергию с одним импульсной лавиной
● Тест 100% ΔVDS
3 приложения
● Приложение переключения питания
● Управление питанием для системы инверторов
● Управление аккумуляторами
VDSS | RDS (ON) (тип) | ИДЕНТИФИКАТОР |
30 В | 1,15 МОм | 235а |