未命名 (1) (8) (1)
vrata
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Tu ste: Doma » Izdelki » » Mosfet » 12V-300V N MO » 235a 30V način izboljšanja N-kanala Power MOSFET DH012N03U

nalaganje

Delite:
Gumb za skupno rabo Facebooka
Gumb za skupno rabo Twitterja
Gumb za skupno rabo vrstic
Gumb za skupno rabo WeChat
Gumb za skupno rabo LinkedIn
Gumb za skupno rabo Pinterest
Gumb za skupno rabo WhatsApp
Gumb za skupno rabo

235A 30V Način izboljšanja N-kanalov Power MOSFET DH012N03U paket cestnina

Ti načini za izboljšanje N-kanalov Power MOSFETS so uporabili napredno zasnovo tehnologije z zplitami vrat, zagotovili odlično RDSON in nizko polnjenje vrat. Ki ustreza standardu ROHS.
Razpoložljivost:
Količina:
Poizvedite Dodaj v košarico

235a 30V Način izboljšanja N-kanala Power MOSFET


1 opis 

Ti načini za izboljšanje N-kanalov Power MOSFETS so uporabili napredno zasnovo tehnologije z zplitami vrat, zagotovili odlično RDSON in nizko polnjenje vrat. Ki ustreza standardu ROHS. 


2 značilnosti

● nizko odpornost 

● Nizka naboj vrat 

● Hitro preklapljanje 

● Kapacitivnosti z nizkim povratnim prenosom 

● 100% enojni preskus energije z enim impulzom 

● 100% ΔVDS test 


3 aplikacije

● Aplikacija za preklop napajanja

● Upravljanje električne energije za pretvornik

● Upravljanje baterij



VDS RDS (ON) (Typ) Id
30V 1.15mΩ 235a


Prejšnji: 
Naslednji: 
Mosfet
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prijavite se za naše glasilo
  • Pripravite se na prihodnjo
    prijavo na naše glasilo, da dobite posodobitve naravnost v mapo »Prejeto«
    Oddaj
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Tehnologija LEADENG.COM