235A 30V N-kanaliga laiendusrežiimi võimsus MOSFET
1 Kirjeldus
Need N-kanaliga laiendusrežiimi võimsusega mosfetid kasutasid täiustatud split-gate kraavitehnoloogia disaini, pakkudes suurepärast Rdsoni ja madalat värava laengut. Mis vastab RoHS standardile.
2 Omadused
● Madal takistus
● Värava madal laeng
● Kiire ümberlülitamine
● Madal pöördülekande mahtuvus
● 100% ühe impulsi laviini energia test
● 100% ΔVDS test
3 Rakendused
● Toitelülitusrakendus
● Invertersüsteemi toitehaldus
● Akuhaldus
| VDSS |
RDS (sees) (TYP) |
ID |
| 30V |
1,15 mΩ |
235A |