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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 235A 30V DH012N03U TOLL Package

Ces mosfets de puissance en mode d'amélioration du canal N utilisaient une conception avancée de technologie de tranchée à grille divisée, offrant un excellent Rdson et une faible charge de grille. Ce qui est conforme à la norme RoHS.
Disponibilité :
Quantité :

MOSFET de puissance en mode d'amélioration canal N 235 A 30 V


1 Descriptif 

Ces mosfets de puissance en mode d'amélioration du canal N utilisaient une conception avancée de technologie de tranchée à grille divisée, fournissant un excellent Rdson et une faible charge de grille. Ce qui est conforme à la norme RoHS. 


2 Caractéristiques

● Faible résistance 

● Faible charge de porte 

● Commutation rapide 

● Faibles capacités de transfert inverse 

● Test d'énergie d'avalanche à impulsion unique à 100 % 

● Test 100 % ΔVDS 


3 candidatures

● Application de commutation de puissance

● Gestion de l'énergie pour le système d'onduleur

● Gestion de la batterie



VDSS RDS (activé) (TYP) IDENTIFIANT
30V 1,15 mΩ 235A


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