Ketersediaan: | |
---|---|
Kuantiti: | |
DH012N03U
WXDH
Tol
30V
235a
235A 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
1 Penerangan
MOSFET Kuasa MOSFET MODE N-Channel ini digunakan dengan reka bentuk teknologi parit pintu gerbang maju, dengan syarat RDSON yang sangat baik dan caj pintu rendah. Yang sesuai dengan standard ROHS.
2 ciri
● Rendah terhadap rintangan
● Caj pintu rendah rendah
● Pertukaran cepat
● Kapasit pemindahan terbalik yang rendah
● Ujian tenaga Avalanche Pulse Single 100%
● Ujian 100% Δvds
3 aplikasi
● Aplikasi pensuisan kuasa
● Pengurusan Kuasa untuk Sistem Inverter
● Pengurusan bateri
VDSS | Rds (on) (typ) | Id |
30V | 1.15mΩ | 235a |
235A 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
1 Penerangan
MOSFET Kuasa MOSFET MODE N-Channel ini digunakan dengan reka bentuk teknologi parit pintu gerbang maju, dengan syarat RDSON yang sangat baik dan caj pintu rendah. Yang sesuai dengan standard ROHS.
2 ciri
● Rendah terhadap rintangan
● Caj pintu rendah rendah
● Pertukaran cepat
● Kapasit pemindahan terbalik yang rendah
● Ujian tenaga Avalanche Pulse Single 100%
● Ujian 100% Δvds
3 aplikasi
● Aplikasi pensuisan kuasa
● Pengurusan Kuasa untuk Sistem Inverter
● Pengurusan bateri
VDSS | Rds (on) (typ) | Id |
30V | 1.15mΩ | 235a |