MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N 150A 150V DHS042N15 TO-220C

Modo de mejora de canal N Potencia MOSFET 150A 150V

1 Descripción 

Este MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N utiliza la avanzada tecnología Split Gate Trench, que proporciona un Rdson excelente y una carga de puerta baja al mismo tiempo. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 

2 características

● Baja resistencia 

● Cargo de puerta bajo

● Cambio rápido 

● Bajas capacitancias de transferencia inversa.

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100% 

● Prueba 100% ΔVDS 

3 aplicaciones 

● Control y accionamiento del motor. 

● Gestión de la batería 

● UPS (Suministros de energía ininterrumpida)

Vces	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
150V	5mΩ	150A