N-channel Enhancement Mode ថាមពល MOSFET 150A 150V
1 ការពិពណ៌នា
ថាមពលរបៀបពង្រឹង N-channel នេះ MOSFET ប្រើប្រាស់បច្ចេកវិទ្យា Split Gate Trench កម្រិតខ្ពស់ ដែលផ្តល់នូវ Rdson ដ៏ល្អឥតខ្ចោះ និងការសាកថ្ម Gate ទាបក្នុងពេលតែមួយ។ ដែលអនុលោមតាមស្តង់ដារ RoHS ។
2 លក្ខណៈពិសេស
● ធន់ទ្រាំទាប
● ថ្លៃច្រកទ្វារទាប
● ការប្តូររហ័ស
● សមត្ថភាពផ្ទេរបញ្ច្រាសទាប
● 100% ការធ្វើតេស្តថាមពល avalanche ជីពចរតែមួយ
● 100% ΔVDS ការធ្វើតេស្ត
3 កម្មវិធី
● ការគ្រប់គ្រងម៉ូទ័រ និងបើកបរ
● ការគ្រប់គ្រងថ្ម
● UPS (ការផ្គត់ផ្គង់ថាមពលដែលមិនអាចរំខានបាន)
| Vces |
RDS(បើក) (TYP) |
លេខសម្គាល់ |
| 150V |
5mΩ |
150A |