מצב N-channel Enhancement Power MOSFET 150A 150V
1 תיאור
MOSFET במצב שיפור N-channel זה משתמש בטכנולוגיית Split Gate Trench מתקדמת, המספקת Rdson מעולה וטעינת שער נמוכה בו זמנית. מה שמתאים לתקן RoHS.
2 תכונות
● התנגדות נמוכה
● טעינת שער נמוכה
● מעבר מהיר
● קיבולי העברה הפוכה נמוכים
● 100% בדיקת אנרגיית מפולת חד פעמית
● 100% בדיקת ΔVDS
3 יישומים
● בקרת מנוע והנעה
● ניהול סוללות
● UPS (אל-פסק)
| Vces |
RDS(מופעל) (TYP) |
תְעוּדַת זֶהוּת |
| 150V |
5mΩ |
150A |