وضع تعزيز القناة N الطاقة MOSFET 150A 150V DHS042N15 TO-220C

وضع تعزيز القناة N الطاقة MOSFET 150A 150V

1 الوصف 

تستخدم MOSFET ذات وضع تحسين القناة N تقنية Split Gate Trench المتقدمة، والتي توفر شحن Rdson ممتازًا وشحنًا منخفضًا للبوابة في نفس الوقت. والذي يتوافق مع معيار RoHS. 

2 الميزات

● مقاومة منخفضة 

● انخفاض رسوم البوابة

● التبديل السريع 

● انخفاض سعات النقل العكسي

● اختبار طاقة الانهيار الجليدي بنبضة واحدة بنسبة 100% 

● اخت653a55145c58a5=اتصل بنا 

3 تطبيقات 

● التحكم في المحركات والقيادة 

● إدارة البطارية 

● UPS (مصادر الطاقة غير المنقطعة)

فسيس	RDS (تشغيل) (TYP)	بطاقة تعريف
150 فولت	5mΩ	150 أ