N-kanal Enhancement Mode Power MOSFET 150A 150V
1 Beskrivelse
Denne N-kanal forbedringstilstand power MOSFET bruger avanceret Split Gate Trench teknologi, som giver fremragende Rdson og lav Gate opladning på samme tid. Hvilket er i overensstemmelse med RoHS-standarden.
2 funktioner
● Lav modstand
● Lav portladning
● Hurtigt skifte
● Lave omvendte overførselskapacitanser
● 100 % enkeltpuls lavineenergitest
● 100 % ΔVDS-test
3 Ansøgninger
● Motorstyring og drev
● Batteristyring
● UPS (Uninterrupible Power Supplies)
| Vces |
RDS(on) (TYP) |
ID |
| 150V |
5mΩ |
150A |