N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 150A 150V
1 ຄຳອະທິບາຍ
ພະລັງງານຂອງໂຫມດການປັບປຸງ N-channel ນີ້ MOSFET ໃຊ້ເທກໂນໂລຍີ Split Gate Trench ຂັ້ນສູງ, ເຊິ່ງສະຫນອງ Rdson ທີ່ດີເລີດແລະຄ່າ Gate ຕ່ໍາໃນເວລາດຽວກັນ. ເຊິ່ງສອດຄ່ອງກັບມາດຕະຖານ RoHS.
2 ຄຸນສົມບັດ
● ຄວາມຕ້ານທານຕໍ່າ
● ຄ່າບໍລິການປະຕູຕໍ່າ
● ສະຫຼັບໄວ
● ຄວາມອາດສາມາດໃນການໂອນເງິນປີ້ນກັບກັນຕໍ່າ
● 100% ການທົດສອບພະລັງງານ avalanche ກໍາມະຈອນດຽວ
● 100% ΔVDS ການທົດສອບ
3 ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ
● ຄວບຄຸມມໍເຕີ ແລະຂັບ
● ການຈັດການແບັດເຕີຣີ
● UPS (ເຄື່ອງໃຊ້ໄຟຟ້າທີ່ບໍ່ຕິດຂັດ)
| Vces |
RDS(ເປີດ) (TYP) |
ID |
| 150V |
5mΩ |
150A |