N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 150 A 150 V DHS042N15 TO-220C

N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 150 A 150 V

1 Beschreibung 

Dieser N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit Anreicherungsmodus nutzt die fortschrittliche Split-Gate-Trench-Technologie, die gleichzeitig einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung bietet. Was dem RoHS-Standard entspricht. 

2 Funktionen

● Geringer Widerstand 

● Niedrige Gate-Ladung

● Schnelles Umschalten 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

● 100 % ΔVDS-Test 

3 Anwendungen 

● Motorsteuerung und Antrieb 

● Batteriemanagement 

● USV (Unterbrechungsfreie Stromversorgung)

Vces	RDS(ein) (TYP)	AUSWEIS
150V	5mΩ	150A