N-Channel-Verbesserungsmodus Power MOSFET 150A 150V DHS042N15 bis 220c

N-Channel-Verbesserungsmodus Power MOSFET 150A 150 V

1 Beschreibung 

Dieser N-Kanal-Verbesserungsmodus-Power MOSFET verwendet die fortschrittliche Split-Gate-Grabentechnologie, die gleichzeitig eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung bietet. Das entspricht dem ROHS -Standard. 

2 Merkmale

● Niedrig des Widerstands 

● Ladung mit niedriger Gate

● schnelles Umschalten 

● Niedrige Umkehrtransferkapazität

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 

● 100% ΔVDS -Test 

3 Anwendungen 

● Motorsteuerung und Antrieb 

● Batteriemanagement 

● UPS (uninterpulierbare Stromversorgungen)

Vces	RDS (ON) (Typ)	AUSWEIS
150 V	5mΩ	150a