MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 120A 90V DH90N055R TO-220C

MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 120 A y 90 V

1 Descripción

Estos mosfets de potencia en modo de mejora de canal N utilizaron un diseño avanzado de tecnología de puerta dividida, proporcionaron un Rdson excelente y una carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 

2 características 

● Cambio rápido

● Baja resistencia 

● Cargo de puerta bajo 

● Alta corriente de avalancha 

● Bajas capacitancias de transferencia inversa.

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100% 

● Prueba 100% ΔVDS 

3 aplicaciones 

● Control y accionamiento del motor. 

● Gestión de la batería 

● Control de herramientas eléctricas 

● Fuente de alimentación UPS (fuentes de alimentación ininterrumpibles)

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
90V	5,5 mΩ	120A