120 A 90 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH90N055R TO-220C

120 A 90 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET

1 Beschreibung

Diese Leistungs-Mosfets im N-Kanal-Anreicherungsmodus verwenden ein fortschrittliches Design mit Splite-Gate-Technologie und bieten einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht. 

2 Funktionen 

● Schnelles Umschalten

● Geringer Widerstand 

● Niedrige Gate-Ladung 

● Hoher Lawinenstrom 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

● 100 % ΔVDS-Test 

3 Anwendungen 

● Motorsteuerung und Antrieb 

● Batteriemanagement 

● Steuerung von Elektrowerkzeugen 

● USV-Stromversorgung (unterbrechungsfreie Stromversorgung).

VDSS	RDS(ein)(TYP)	AUSWEIS
90V	5,5 mΩ	120A