120A 90V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH90N055R TO-220C

120A 90V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET

1 Popis

Tieto výkonové mosfety v režime N-kanálového vylepšenia používali pokročilý dizajn technológie splite gate, ktorý poskytoval vynikajúci Rdson a nízky náboj brány. Čo je v súlade s normou RoHS. 

2 Vlastnosti 

● Rýchle prepínanie

● Nízky odpor 

● Nízky poplatok za bránu 

● Vysoký lavínový prúd 

● Nízke kapacity spätného prenosu

● 100% test lavínovej energie s jedným impulzom 

● 100 % test ΔVDS 

3 Aplikácie 

● Riadenie motora a pohon 

● Správa batérie 

● Ovládanie elektrického náradia 

● Napájanie UPS (neprerušiteľné zdroje napájania).

VDSS	RDS(zapnuté)(TYP)	ID
90 V	5,5 mΩ	120A