120A 90V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET DH90N055R TO-220C

120A 90V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET

1 Açıklama

Bu N-kanal geliştirme modu güç mosfetleri, gelişmiş bölünmüş kapı teknolojisi tasarımını kullandı ve mükemmel Rdson ve düşük geçit şarjı sağladı. RoHS standardına uygundur. 

2 Özellikler 

● Hızlı geçiş

● Düşük direnç 

● Düşük kapı ücreti 

● Yüksek çığ akıntısı 

● Düşük ters transfer kapasitansları

● %100 tek darbeli çığ enerjisi testi 

● %100 ΔVDS testi 

3 Uygulama 

● Motor kontrolü ve sürücü 

● Pil yönetimi 

● Elektrikli alet kontrolü 

● UPS (kesintisiz güç kaynakları) güç kaynağı

VDSS	RDS(açık)(TİP)	İD
90V	5,5mΩ	120A