MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 100A 40V DHS008N04P DFN5x6

MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 100 A y 40 V

1 Descripción 

Este MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N utiliza la avanzada tecnología Split Gate Trench, que proporciona un Rdson excelente y una carga de puerta baja al mismo tiempo. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 

2 características 

● Baja resistencia 

● Cargo de puerta bajo 

● Cambio rápido 

● Bajas capacitancias de transferencia inversa. 

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100%

● Prueba 100% ΔVDS 

● Calificación AEC-Q101 

3 aplicaciones 

● Aplicación automotriz 

● Gestión de la batería 

● UPS (Suministros de energía ininterrumpida)

● Rectificación síncrona para cargador rápido AC/DC

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN	IDENTIFICACIÓN
40V	0,83 mΩ	300A (silicio limitado)	100A (paquete limitado)