MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N, 100 A, 40 V, DHS008N04P DFN5x6

MOSFET de puissance en mode d'amélioration canal N 100 A 40 V

1 Descriptif 

Ce MOSFET de puissance en mode d'amélioration à canal N utilise la technologie avancée Split Gate Trench, qui fournit à la fois un excellent Rdson et une faible charge de grille. Ce qui est conforme à la norme RoHS. 

2 Caractéristiques 

● Faible résistance 

● Faible charge de porte 

● Commutation rapide 

● Faibles capacités de transfert inverse 

● Test d'énergie d'avalanche à impulsion unique à 100 %

● Test 100 % ΔVDS 

● Qualifié AEC-Q101 

3 candidatures 

● Application automobile 

● Gestion de la batterie 

● UPS (alimentations sans coupure)

● Rectification synchrone pour chargeur rapide AC/DC

VDSS	RDS (activé) (TYP)	IDENTIFIANT	IDENTIFIANT
40V	0,83 mΩ	300A (silicium limité)	100A (emballage limité)