Доступность: | |
---|---|
Количество: | |
DHS008N04P
WXDH
DHS008N04P
DFN5x6
40 В
100А
100A 40 В n-канальный режим улучшения режима мощности
1 Описание
В этом мощном MOSFET в режиме N-канала используется расширенная технология траншеи сплит-затвора, которая обеспечивает отличную заряду RDSON и Low Gate одновременно. Который согласуется со стандартом ROHS.
2 функции
● Низкое сопротивление
● Зарядки с низким затвором
● Быстрое переключение
● Низкие емкости обратного переноса
● 100% тест на электроэнергию с одним импульсной лавиной
● Тест 100% ΔVDS
● AEC-Q101 квалифицирован
3 приложения
● Автомобильное приложение
● Управление аккумуляторами
● UPS (бесперебойные расходные материалы)
● Синхронное исправление для быстрого зарядного устройства AC/DC
VDSS | RDS (ON) (тип) | ИДЕНТИФИКАТОР | ИДЕНТИФИКАТОР |
40 В | 0,83 МОм | 300A (Silicon Limited) | 100a (PackageLimited) |
100A 40 В n-канальный режим улучшения режима мощности
1 Описание
В этом мощном MOSFET в режиме N-канала используется расширенная технология траншеи сплит-затвора, которая обеспечивает отличную заряду RDSON и Low Gate одновременно. Который согласуется со стандартом ROHS.
2 функции
● Низкое сопротивление
● Зарядки с низким затвором
● Быстрое переключение
● Низкие емкости обратного переноса
● 100% тест на электроэнергию с одним импульсной лавиной
● Тест 100% ΔVDS
● AEC-Q101 квалифицирован
3 приложения
● Автомобильное приложение
● Управление аккумуляторами
● UPS (бесперебойные расходные материалы)
● Синхронное исправление для быстрого зарядного устройства AC/DC
VDSS | RDS (ON) (тип) | ИДЕНТИФИКАТОР | ИДЕНТИФИКАТОР |
40 В | 0,83 МОм | 300A (Silicon Limited) | 100a (PackageLimited) |