ច្រកទ្វារ
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
អ្នកនៅទីនេះ៖ ផ្ទះ » ផលិតផល » MOSFET » 12V-300V N MOS » 100A 40V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DHS008N04P DFN5x6

ការផ្ទុក

ចែករំលែកទៅ៖
ប៊ូតុងចែករំលែក facebook
ប៊ូតុងចែករំលែក twitter
ប៊ូតុងចែករំលែកបន្ទាត់
ប៊ូតុងចែករំលែក wechat
linkedin ប៊ូតុងចែករំលែក
ប៊ូតុងចែករំលែក pinterest
ប៊ូតុងចែករំលែក whatsapp
ចែករំលែកប៊ូតុងចែករំលែកនេះ។

100A 40V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DHS008N04P DFN5x6

100A 40V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
ភាពអាចរកបាន៖
បរិមាណ៖
  • DHS008N04P

  • WXDH

  • DHS008N04P

  • DFN5X6

  • Donghai_DHS008N04P_Datasheet_V1.0.pdf

  • 40V

  • 100A

100A 40V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET


1 ការពិពណ៌នា 


ថាមពលរបៀបពង្រឹង N-channel នេះ MOSFET ប្រើប្រាស់បច្ចេកវិទ្យា Split Gate Trench កម្រិតខ្ពស់ ដែលផ្តល់នូវ Rdson ដ៏ល្អឥតខ្ចោះ និងការសាកថ្ម Gate ទាបក្នុងពេលតែមួយ។ ដែលអនុលោមតាមស្តង់ដារ RoHS ។ 


2 លក្ខណៈពិសេស 

● ធន់ទ្រាំទាប 

● ថ្លៃច្រកទ្វារទាប 

● ការប្តូររហ័ស 

● សមត្ថភាពផ្ទេរបញ្ច្រាសទាប 

● 100% ការធ្វើតេស្តថាមពល avalanche ជីពចរតែមួយ

● 100% ΔVDS ការធ្វើតេស្ត 

● AEC-Q101 មានលក្ខណៈសម្បត្តិគ្រប់គ្រាន់ 


3 កម្មវិធី 

● កម្មវិធីរថយន្ត 

● ការគ្រប់គ្រងថ្ម 

● UPS (ការផ្គត់ផ្គង់ថាមពលដែលមិនអាចរំខានបាន)

● ការកែតម្រូវសមកាលកម្មសម្រាប់ឆ្នាំងសាករហ័ស AC/DC


វីឌីអេសអេស RDS(បើក)(TYP) លេខសម្គាល់ លេខសម្គាល់
40V 0.83mΩ 300A (ស៊ីលីកុនមានកំណត់) 100A (កញ្ចប់មានកំណត់)


មុន៖ 
បន្ទាប់៖ 
  • ចុះឈ្មោះសម្រាប់ព្រឹត្តិប័ត្រព័ត៌មានរបស់យើង។
  • ត្រៀមខ្លួនសម្រាប់
    ការចុះឈ្មោះនាពេលអនាគតសម្រាប់ព្រឹត្តិបត្ររបស់យើង ដើម្បីទទួលបានព័ត៌មានថ្មីៗត្រង់ទៅកាន់ប្រអប់សំបុត្ររបស់អ្នក។