100A 40V N-Kanal-Verbesserungsmodus Power MOSFET DHS008N04P DFN5X6

100A 40V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET

1 Beschreibung 

Dieser N-Kanal-Verbesserungsmodus-Power MOSFET verwendet die fortschrittliche Split-Gate-Grabentechnologie, die gleichzeitig eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung bietet. Das entspricht dem ROHS -Standard. 

2 Merkmale 

● Niedrig des Widerstands 

● Ladung mit niedriger Gate 

● schnelles Umschalten 

● Niedrige Umkehrtransferkapazität 

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest

● 100% ΔVDS -Test 

● AEC-Q101 qualifiziert 

3 Anwendungen 

● Automobilanwendung 

● Batteriemanagement 

● UPS (ununterbrochene Stromversorgungen)

Ur