100 A 40 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHS008N04P DFN5x6

100 A 40 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET

1 Beschreibung 

Dieser N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit Anreicherungsmodus nutzt die fortschrittliche Split-Gate-Trench-Technologie, die gleichzeitig einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung bietet. Was dem RoHS-Standard entspricht. 

2 Funktionen 

● Geringer Widerstand 

● Niedrige Gate-Ladung 

● Schnelles Umschalten 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten 

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest

● 100 % ΔVDS-Test 

● AEC-Q101-qualifiziert 

3 Anwendungen 

● Automobilanwendung 

● Batteriemanagement 

● USV (Unterbrechungsfreie Stromversorgung)

● Synchrongleichrichtung für AC/DC-Schnellladegerät

VDSS	RDS(ein)(TYP)	AUSWEIS	AUSWEIS
40V	0,83 mΩ	300 A (Silizium begrenzt)	100A (Paketbegrenzt)