Availability: | |
---|---|
Dami: | |
DHS008N04P
Wxdh
DHS008N04P
DFN5X6
40V
100A
100A 40V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
1 Paglalarawan
Ang N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET ay gumagamit ng advanced na split gate na trench na teknolohiya, na nagbibigay ng mahusay na rdson at mababang singil sa gate nang sabay. Na naaayon sa pamantayan ng ROHS.
2 Mga Tampok
● Mababa sa paglaban
● Mababang singil ng gate
● Mabilis na paglipat
● Mababang reverse transfer capacitances
● 100% Single Pulse Avalanche Energy Test
● 100% ΔVDS test
● Kwalipikado ang AEC-Q101
3 mga aplikasyon
● Application ng Automotiko
● Pamamahala ng baterya
● UPS (hindi maiiwasang mga suplay ng kuryente)
● Pag -aayos ng pag -aayos para sa mabilis na charger ng AC/DC
VDSS | Rds (on) (typ) | ID | ID |
40V | 0.83MΩ | 300A (Silicon Limited) | 100A (Packagelimited) |
100A 40V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
1 Paglalarawan
Ang N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET ay gumagamit ng advanced na split gate na trench na teknolohiya, na nagbibigay ng mahusay na rdson at mababang singil sa gate nang sabay. Na naaayon sa pamantayan ng ROHS.
2 Mga Tampok
● Mababa sa paglaban
● Mababang singil ng gate
● Mabilis na paglipat
● Mababang reverse transfer capacitances
● 100% Single Pulse Avalanche Energy Test
● 100% ΔVDS test
● Kwalipikado ang AEC-Q101
3 mga aplikasyon
● Application ng Automotiko
● Pamamahala ng baterya
● UPS (hindi maiiwasang mga suplay ng kuryente)
● Pag -aayos ng pag -aayos para sa mabilis na charger ng AC/DC
VDSS | Rds (on) (typ) | ID | ID |
40V | 0.83MΩ | 300A (Silicon Limited) | 100A (Packagelimited) |