доступність: | |
---|---|
Кількість: | |
DHS008N04P
WXDH
DHS008N04P
Dfn5x6
40V
100a
100a 40 В N-канальний режим посилення живлення MOSFET
1 опис
Цей N-канальний режим розширення Power Mosfet використовує вдосконалену технологію траншеї Split Gate, яка одночасно забезпечує чудовий заряд RDSON та низьких воріт. Що відповідає стандарту ROHS.
2 особливості
● Низька опір
● Низький заряд воріт
● Швидкий перемикання
● Низька ємність зворотного перенесення
● 100% випробування на енергетику з одноразовим лавином
● 100% ΔVDS -тест
● AEC-Q101 кваліфікований
3 програми
● Автомобільний додаток
● Управління акумуляторами
● ДБЖ (безперебійні джерела живлення)
● Синхронна випрямлення для швидкого зарядного пристрою AC/постійного струму
VDSS | RDS (ON) (TYP) | Ідентифікатор | Ідентифікатор |
40V | 0,83 МОм | 300a (Silicon Limited) | 100a (PackageLimited) |
100a 40 В N-канальний режим посилення живлення MOSFET
1 опис
Цей N-канальний режим розширення Power Mosfet використовує вдосконалену технологію траншеї Split Gate, яка одночасно забезпечує чудовий заряд RDSON та низьких воріт. Що відповідає стандарту ROHS.
2 особливості
● Низька опір
● Низький заряд воріт
● Швидкий перемикання
● Низька ємність зворотного перенесення
● 100% випробування на енергетику з одноразовим лавином
● 100% ΔVDS -тест
● AEC-Q101 кваліфікований
3 програми
● Автомобільний додаток
● Управління акумуляторами
● ДБЖ (безперебійні джерела живлення)
● Синхронна випрямлення для швидкого зарядного пристрою AC/постійного струму
VDSS | RDS (ON) (TYP) | Ідентифікатор | Ідентифікатор |
40V | 0,83 МОм | 300a (Silicon Limited) | 100a (PackageLimited) |