MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 25A 100V DHS250N10D TO-252B

MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 25 A y 100 V

1 Descripción 

Estos mosfets de potencia de modo de mejora de canal N utilizaron un diseño avanzado de tecnología de puerta Splite, proporcionaron un Rdson excelente y una carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 

2 características 

● Cambio rápido 

● Baja resistencia 

● Cargo de puerta bajo

● Bajas capacitancias de transferencia inversa. 

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100% 

● Prueba 100% ΔVDS 

3 aplicaciones 

● Aplicaciones de conmutación de energía 

● Convertidores CC-CC 

● herramientas eléctricas 

● SAI 

● Control de motores

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
100V	25mΩ	25A