25A 100V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHS250N10D TO-252B

25A 100V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET

1 Опис 

Цей потужний MOSFET з N-канальним режимом покращення використовує вдосконалену конструкцію технології Splite Gate, забезпечуючи відмінний Rdson і низький заряд затвора. Що відповідає стандарту RoHS. 

2 Особливості 

● Швидке перемикання 

● Низький опір 

● Низький заряд затвора

● Низькі ємності зворотного перенесення 

● 100% одноімпульсне тестування енергії лавини 

● 100% тест ΔVDS 

3 Додатки 

● Програми для перемикання живлення 

● DC-DC перетворювачі 

● Електроінструменти 

● ДБЖ 

● Керування двигуном

VDSS	RDS(увімкнено)(TYP)	ID
100В	25 мОм	25А