25 A 100 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHS250N10D TO-252B

25 A 100 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET

1 Beschreibung 

Diese Leistungs-Mosfets im N-Kanal-Anreicherungsmodus verwenden ein fortschrittliches Design mit Splite-Gate-Technologie und bieten einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht. 

2 Funktionen 

● Schnelles Umschalten 

● Geringer Widerstand 

● Niedrige Gate-Ladung

● Geringe Rückübertragungskapazitäten 

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

● 100 % ΔVDS-Test 

3 Anwendungen 

● Leistungsschaltanwendungen 

● DC-DC-Wandler 

● Elektrowerkzeuge 

● USV 

● Motorsteuerung

VDSS	RDS(ein)(TYP)	AUSWEIS
100V	25mΩ	25A