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25A 100V N-Kanalverbesserungsmodus MOSFET DHS250N10D TO-252B

In diesem N-Channel-Verbesserungsmodus wurden MOSFETs mit fortschrittlichem Splite Gate Technology Design ein hervorragendes RDSON und niedrige Gate-Ladung dargestellt. Das entspricht dem ROHS -Standard.
 
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25A 100V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET

1 Beschreibung 


In diesem N-Channel-Verbesserungsmodus wurden MOSFETs mit fortschrittlichem Splite Gate Technology Design ein hervorragendes RDSON und niedrige Gate-Ladung dargestellt. Das entspricht dem ROHS -Standard. 


2 Merkmale 

● schnelles Umschalten 

● Niedrig des Widerstands 

● Ladung mit niedriger Gate

● Niedrige Umkehrtransferkapazität 

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 

● 100% ΔVDS -Test 


3 Anwendungen 

● Stromschaltanwendungen 

● DC-DC-Konverter 

● Elektrowerkzeuge 

● ups 

● Motorsteuerung

VDSS RDS (ON) (Typ) AUSWEIS
100V 25mΩ 25a


herunterladen Gerät+DHS250N10D+Spezifikation+rev2.0.pdf

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