未命名 (1) (8) (1)
värav
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Sa oled siin: Kodu » Tooted » Mosfet » 12V-300V N MOS
Mudel:
Pakett:
V:
V:
Valitud tooteliinid:

12V-300V N MOS

Pildimudeli ​ pakett v Andmelehe üksikasjade päring lisage korvi
N-kanali tugevdusrežiimi võimsus MOSFET 68A 100V DH140N10D TO-252B 100 V 68a DH140N10B & DH140N10D_DATASHEET_V1.0.pdf
200A 30 V N-kanali parendamise režiim MOSFET DH020N03D TO-252B DH020N03D TO-252B 30 V 200A Seade DH020N03 (B39) spetsifikatsioon.pdf
19A 80 V N-kanali parendamisrežiimi võimsus MOSFET DH300N08D TO-252B DH300N08D TO-252B 80 V 19a Seade DH300N08 spetsifikatsioon.pdf
130A 100 V N-kanali tugevdamise režiimi võimsus MOSFET DHS037N10/ DHS037N10F/ DHS037N10E
120A 80 V N-kanali parendamise režiim Power MOSFET DSG053N08N3 DSG053N08N3 TO-220C 80 V 120A DSG053N08N3 & DSE051N08N3_DATASHEET_V1.0.pdf
180A 80 V N-kanali parendamisrežiim Power MOSFET DH029N08 TO-220C DH029N08 TO-220C 80 V 180A Seade DH029N08 spetsifikatsioon.pdf
N-kanali tugevdusrežiimi võimsus MOSFET 100A 30V DHD100N03 TO-252B DHD100N03 TO-252B 30 V 100A Seade DH100N03 B13 spetsifikatsioon.pdf
110A 85V N-kanali tugevdusrežiimi võimsus MOSFET DHS055N85 TO-220C DHS055N85 TO-220C 85 V 110A Seade DHS055N85 spetsifikatsioon.pdf
100 V/2MΩ/281A N-MOSFET Teele DSU023N10N3 Teemaksu 100 V 281a DSU023n10n3_Datasheet_V1.0.pdf
120A 98V N-kanali tugevdusrežiimi võimsus MOSFET DHS046N10 TO-220C DHS046N10 TO-220C 98 V 120A Seade DHS046N10 spetsifikatsioon.pdf
N-kanali tugevdusrežiimi võimsus MOSFET 120A 98V DHS045N98 TO-220C DHS045N98 TO-220C 98 V 120A Seade DHS045N98 SPECIFICATION-REV.1.0.pdf
N-kanali tugevdusrežiimi võimsus MOSFET 180A 80V DH8004 TO-220C DH8004 TO-220C 80 V 180A Seade DH8004 spetsifikatsioon (2) .pdf
240A 100 V N-kanali parendamise režiimi võimsus MOSFET DHS025N10 TO-220C DHS025N10 TO-220C 100 V 240A Seade DHS025N10 spetsifikatsioon.pdf
30A 60 V N-kanali parendamise režiim Power MOSFET DHZ24 TO-220C DHZ24 TO-220C 60 V 30A Seade DHZ24B31 spetsifikatsioon.pdf
63A 60 V N-kanali tugevdamisrežiimi võimsus MOSFET DH132N06/DH132N06F/DH132N06E/DH132N06B/DH132N06D
12A 100 V N-kanali tugevdusrežiimi võimsus MOSFET DH1K1N10D TO-252B Dh1k1n10d TO-252B 100 V 12a Seade DH1K1N10 spetsifikatsioon.pdf
120A 100 V N-kanali parendamise režiim Power MOSFET DH10H037R TO-220C DH10H037R TO-220C 100 V 120A Seade DH10H037R spetsifikatsioon.pdf
25A 100 V N-kanali parendamise režiim Power MOSFET DHS250N10D TO-252B DHS250N10D TO-252B 100 V 25A Seade+DHS250N10D+SPECIFICATION+REV1.0.PDF
80A 75 V N-kanali parendamise režiim MOSFET D7509 TO-220C D7509 TO-220C 75 V 80A Seade D7509 spetsifikatsioon.pdf
50A 120 V N-kanali parendamise režiim Power MOSFET DH150N12 TO-220C DH150N12 TO-220C 120 V 50A Seade DH150N12 spetsifikatsioon.pdf

Tootevideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Registreeruge meie infolehte
  • Olge tulevikuks valmis
    meie infolehte, et saada värskendusi otse oma postkasti
    Alluma
Autoriõigus © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd tehnoloogia Leadong.com