未命名 (1) (8) (1)
värav
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olete siin: Kodu » Tooted » MOSFET » 12V-300V N MOS
Mudel:
Pakett:
V:
V:
VALITUD TOOTE SARJAD:

12V-300V N MOS

Pilt Mudelipakett V A Andmelehe detailid Päring ostukorvi Lisa
170A 100V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DSG030N10N3 TO-220C DSG030N10N3 KUNI -220C 100V 170A DSG030N10N3&DSE028N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
140A 150V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DSG070N15NA TO-220C DSG070N15NA KUNI -220C 150V 140A  DSG070N15NA_DataSheet_V1.0.pdf
100A 40V N-kanali laiendusrežiimi toide MOSFET DHS021N04P DFN5X6 DHS021N04P DFN5X6 40V 100A Donghai DHS021N04P andmeleht V3.0.pdf
130A 40V N-kanali laiendusrežiimi toide MOSFET DH025N04D TO-252B DH025N04D TO-252B 40V 130A Seadme DH025N04 spetsifikatsioon.pdf
90A 80V N-kanali laiendusrežiimi toide MOSFET DHD80N08 TO-252B DHD80N08 TO-252B 80V 90A Seadme DHD80N08 spetsifikatsioon.pdf
120A 80V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DSG053N08N3 DSG053N08N3 KUNI -220C 80V 120A DSG053N08N3&DSE051N08N3_Datasheet_V1.0.pdf
25A 100V N-kanali laiendusrežiimi toide MOSFET DHS250N10D TO-252B DHS250N10D TO-252B 100V 25A Seade+DHS250N10D+Spetsifikatsioon+Rev1.0.pdf
N-kanali laiendusrežiimi toide MOSFET 100A 68V DH060N07B TO-251B DH060N07B TO-251B 68V 100A Seadme DH060N07D spetsifikatsioon.pdf
63A 60V N-kanaliga laiendusrežiimi võimsus MOSFET DH132N06/DH132N06F/ DH132N06E/DH132N06B/DH132N06D
N-kanali täiustusrežiimi toide MOSFET 120A 85V DHS045N88 TO-220C DHS045N88 KUNI -220C 85V 120A Seadme DHS045N88 spetsifikatsioon-Rev.1.0.pdf
120A 100V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DH10H037R TO-220C DH10H037R KUNI -220C 100V 120A Seadme DH10H037R spetsifikatsioon.pdf
100A 40V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DHS008N04P DFN5x6 DHS008N04P DFN5X6 40V 100A DHS008N04P_Andmeleht_V1.0.pdf
120A 98V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DHS046N10 TO-220C DHS046N10 KUNI -220C 98V 120A Seadme DHS046N10 spetsifikatsioon.pdf
112A 68V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DH100N06 TO-220C DH100N06 KUNI -220C 68V 112A DH100N06_Datasheet_V3.0.pdf
180A 60V N-kanali laiendusrežiimi toide MOSFET DHS025N06E TO-263 DHS025N06E TO-263 60V 180A  DHS025N06&DHS025N06E_DataSheet_V2.0.pdf
N-kanali täiustusrežiimi toide MOSFET 180A 80V DH8004 TO-220C DH8004 KUNI -220C 80V 180A Seadme DH8004 spetsifikatsioon (2).pdf
61A 60V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DH16N06 TO-220C DH16N06 KUNI -220C 60V 61A Seadme DH16N06 spetsifikatsioon.pdf
240A 100V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DHS025N10 TO-220C DHS025N10 KUNI -220C 100V 240A Seadme DHS025N10 spetsifikatsioon.pdf
30A 60V N-kanali laiendusrežiim Toide MOSFET DHZ24 TO-220C DHZ24 KUNI -220C 60V 30A Seadme DHZ24B31 spetsifikatsioon.pdf
19A 80V N-kanali laiendusrežiimi toide MOSFET DH300N08D TO-252B DH300N08D TO-252B 80V 19A Seadme DH300N08 spetsifikatsioon.pdf

Tootevideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Liituge meie uudiskirjaga
  • valmistuge tulevikuks
    registreeruge meie uudiskirja saamiseks, et saada värskendused otse oma postkasti
    Esita
Autoriõigus © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd tehnoloogia autor leadong.com