61 A 60 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH16N06 TO-220C

61 A 60 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET

1 Beschreibung 

Diese N-Kanal-Enhanced-VDMOSFETs nutzen die selbstausrichtende Planartechnologie, die den Leitungsverlust reduziert, die Schaltleistung verbessert und die Lawinenenergie erhöht. Was dem RoHS-Standard entspricht. 

2 Funktionen 

● Schnelles Umschalten 

● Niedriger EIN-Widerstand (Rdson≤23mΩ)

● Niedrige Gate-Ladung (typisch: 39,3 nC) 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten (Typ: 90 pF) 

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest

● 100 % ΔVDS-Test 

3 Anwendungen

● Schaltkreis zur Verwaltung der Batteriestromversorgung

● DC-DC-Wandler

● USV-Stromversorgung

● Lastschalter

VDSS	RDS(ein)(TYP)	AUSWEIS
60V	16mΩ	61A