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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
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100V/5,2mΩ/95A N-MOSFET DSP070N10L3A DFN5X6


Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Splite-Gate-Graben-Technologie-Design und bildeten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard.
 
Verfügbarkeit:
Menge:

100 V/5,2 mΩ/95A N-MOSFET


1 Beschreibung


Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Splite-Gate-Graben-Technologie-Design und bildeten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard. 


2 Merkmale 

• AEC-Q101 qualifiziert

● Niedrig des Widerstands 

● Niedrige Umkehrtransferkapazität

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest

● 100% ΔVDS -Test

● Pb-freie Beschichtung / Halogenfrei / ROHS-konform


3 Anwendungen 

• Motorsteuerung und Antrieb 

• Ladung/Entladung für das Batteriemanagementsystem 

• Synchroner Gleichrichter für SMPs

• Automobilanwendung

VDSS RDS (ON) (Typ) AUSWEIS Paket
100V 5,2m Ω 95a DFN5X6


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