100 V/5,2 mΩ/95 A N-MOSFET
1 Beschreibung
Diese N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Anreicherungsmodus verwenden ein fortschrittliches Split-Gate-Trench-Technologie-Design und bieten einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht.
2 Funktionen
• AEC-Q101-qualifiziert
● Geringer Widerstand
● Geringe Rückübertragungskapazitäten
● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest
● 100 % ΔVDS-Test
● Pb-freie Beschichtung / Halogenfrei / RoHS-konform
3 Anwendungen
• Motorsteuerung und Antrieb
• Laden/Entladen für Batteriemanagementsystem
• Synchrongleichrichter für SMPS
• Automobilanwendung
| VDSS |
RDS(ein)(TYP) |
AUSWEIS |
Paket |
| 100V |
5,2 mΩ |
95A |
DFN5X6 |