Verfügbarkeit: | |
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DSP070N10L3A
Wxdh
DFN5X6
100V
95a
100 V/5,2 mΩ/95A N-MOSFET
1 Beschreibung
Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Splite-Gate-Graben-Technologie-Design und bildeten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard.
2 Merkmale
• AEC-Q101 qualifiziert
● Niedrig des Widerstands
● Niedrige Umkehrtransferkapazität
● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest
● 100% ΔVDS -Test
● Pb-freie Beschichtung / Halogenfrei / ROHS-konform
3 Anwendungen
• Motorsteuerung und Antrieb
• Ladung/Entladung für das Batteriemanagementsystem
• Synchroner Gleichrichter für SMPs
• Automobilanwendung
VDSS | RDS (ON) (Typ) | AUSWEIS | Paket |
100V | 5,2m Ω | 95a | DFN5X6 |
100 V/5,2 mΩ/95A N-MOSFET
1 Beschreibung
Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Splite-Gate-Graben-Technologie-Design und bildeten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard.
2 Merkmale
• AEC-Q101 qualifiziert
● Niedrig des Widerstands
● Niedrige Umkehrtransferkapazität
● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest
● 100% ΔVDS -Test
● Pb-freie Beschichtung / Halogenfrei / ROHS-konform
3 Anwendungen
• Motorsteuerung und Antrieb
• Ladung/Entladung für das Batteriemanagementsystem
• Synchroner Gleichrichter für SMPs
• Automobilanwendung
VDSS | RDS (ON) (Typ) | AUSWEIS | Paket |
100V | 5,2m Ω | 95a | DFN5X6 |