100V/5.2mΩ/95A N-MOSFET
1 คำอธิบาย
มอสเฟตกำลังโหมดการเพิ่มประสิทธิภาพโหมด N-channel เหล่านี้ใช้เทคโนโลยีการออกแบบร่องลึกแยกเกตขั้นสูง ซึ่งให้ค่า Rdson และเกตต่ำที่ยอดเยี่ยม ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน RoHS
2 คุณสมบัติ
• ผ่านการรับรอง AEC-Q101
● ความต้านทานต่ำ
● ความจุการถ่ายโอนแบบย้อนกลับต่ำ
● การทดสอบพลังงานหิมะถล่มพัลส์เดี่ยว 100%
● การทดสอบ ΔVDS 100%
● การชุบแบบปลอดสาร Pb / ปลอดสารฮาโลเจน / เป็นไปตามมาตรฐาน RoHS
3 การใช้งาน
• การควบคุมมอเตอร์และการขับเคลื่อน
• การชาร์จ/คายประจุสำหรับระบบการจัดการแบตเตอรี่
• วงจรเรียงกระแสแบบซิงโครนัสสำหรับ SMPS
• การใช้งานด้านยานยนต์
| วีดีเอสเอส |
RDS (บน) (ประเภท) |
บัตรประจำตัวประชาชน |
บรรจุุภัณฑ์ |
| 100V |
5.2mΩ |
95เอ |
DFN5X6 |