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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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MOSFET N 100 V/5,2 mΩ/95 A DSP070N10L3A DFN5X6


Questi mosfet di potenza in modalità di potenziamento a canale N utilizzavano un design avanzato con tecnologia splite gate trench, fornendo un eccellente Rdson e una bassa carica di gate. Che è conforme allo standard RoHS.
 
Disponibilità:
Quantità:

MOSFET N da 100 V/5,2 mΩ/95 A


1 Descrizione


Questi mosfet di potenza in modalità di potenziamento a canale N utilizzavano un design avanzato con tecnologia splite gate trench, fornendo un eccellente Rdson e una bassa carica di gate. Che è conforme allo standard RoHS. 


2 Caratteristiche 

• Qualificato AEC-Q101

● Bassa resistenza 

● Basse capacità di trasferimento inverso

● Test energetico da valanga a impulso singolo al 100%.

● Test ΔVDS al 100%.

● Placcatura senza piombo/senza alogeni/conforme a RoHS


3 applicazioni 

• Controllo e azionamento del motore 

• Carica/scarica per il sistema di gestione della batteria 

• Raddrizzatore sincrono per SMPS

• Applicazione automobilistica

VDSS RDS(acceso)(TIPO) ID Pacchetto
100 V 5,2 mΩ 95A DFN5X6


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