100A 30V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K

100A 30 V N-Kanal-Verbesserungsmodus Power MOSFET

1 Beschreibung

Diese N-Kanal-Verbesserung von VDMOSFETs verwendeten fortschrittliches Gräbertechnologie-Design und boten eine hervorragende RDSON und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard. 

2 Merkmale 

● Niedriger Schaltverlust 

● Niedrig des Widerstands (RDSON ≤ 5,5 mΩ) 

● Ladung mit niedriger Gate (Typ: 43NC) 

● Niedrige Rückübertragungskapazität (Typ: 215PF) 

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest

● 100% ΔVDS -Test 

3 Anwendungen

● Stromschaltanwendungen 

● Inverter -Management -System 

● Elektrische Werkzeuge 

● Automobilelektronik