| Disponibilidade: | |
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| Quantidade: | |
30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K
WXDH
MOSFET de potência do modo de aprimoramento de canal N 100A 30V
1 Descrição
Esses vdmosfets aprimorados de canal N usaram design de tecnologia de trincheira avançada, forneceram excelente Rdson e baixa carga de portão. O que está de acordo com o padrão RoHS.
2 recursos
● Baixa perda de comutação
● Baixa resistência (Rdson≤5,5mΩ)
● Carga de porta baixa (Tipo: 43nC)
● Baixa capacitância de transferência reversa (Tipo: 215pF)
● Teste de energia de avalanche de pulso único de 100%
● Teste ΔVDS 100%
3 aplicações
● Aplicações de comutação de energia
● Sistema de gerenciamento do inversor
● Ferramentas elétricas
● Eletrônica automotiva
| VDSS | RDS(ligado) (TYP) | EU IA |
| 30V | 4mΩ | 100A |
MOSFET de potência do modo de aprimoramento de canal N 100A 30V
1 Descrição
Esses vdmosfets aprimorados de canal N usaram design de tecnologia de trincheira avançada, forneceram excelente Rdson e baixa carga de portão. O que está de acordo com o padrão RoHS.
2 recursos
● Baixa perda de comutação
● Baixa resistência (Rdson≤5,5mΩ)
● Carga de porta baixa (Tipo: 43nC)
● Baixa capacitância de transferência reversa (Tipo: 215pF)
● Teste de energia de avalanche de pulso único de 100%
● Teste ΔVDS 100%
3 aplicações
● Aplicações de comutação de energia
● Sistema de gerenciamento do inversor
● Ferramentas elétricas
● Eletrônica automotiva
| VDSS | RDS(ligado) (TYP) | EU IA |
| 30V | 4mΩ | 100A |




