100α 30V N-channel lepancement Mode Power MOSFET 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K

100α 30V N-Channel MODE MOSFET POWER MOSFET

1 περιγραφή

Αυτά τα N-Channel Enhanced VDMOSFETs χρησιμοποίησαν προηγμένο σχεδιασμό τεχνολογίας τάφρων, παρείχαν εξαιρετική RDSON και χαμηλή φόρτιση πύλης. Η οποία συμφωνεί με το πρότυπο ROHS. 

2 χαρακτηριστικά 

● Χαμηλή απώλεια μεταγωγής 

● Χαμηλή αντίσταση (RDSON≤5.5MΩ) 

● Χαμηλή φόρτιση πύλης (τύπος: 43NC) 

● Χαμηλή αντίστροφη χωρητικότητα μεταφοράς (τύπος: 215PF) 

● Δοκιμή ενεργειακής δοκιμής 100% μονής παλμού Avalanche

● δοκιμή 100% ΔVDS 

3 αιτήσεις

● Εφαρμογές μεταγωγής τροφοδοσίας 

● Σύστημα διαχείρισης μετατροπέα 

● ηλεκτρικά εργαλεία 

● Ηλεκτρονικά αυτοκινητοβιομηχανία